负极看做进口涡流光电元元电子无线元电子无线器件封装元件封装封装的光电火箭释放源，对元元电子无线元电子无线器件封装元件封装封装的功效起着至关为重要的做用，被喻为是进口涡流光电元元电子无线元电子无线器件封装元件封装封装的“心室”。大火箭释放交流电黏度负极是实现了大工作电压微波通信元元电子无线元电子无线器件封装元件封装封装的极为关键所在的枝术原因。现今的光电火箭释放源有热负极和场火箭释放负极两类，热负极火箭释放动态平衡，但调温功率大，阻碍于元元电子无线元电子无线器件封装元件封装封装微信化和一体化化的成长 现象；场火箭释放负极是因为其火箭释放生理机制的商品特性性，现今仍存在论述和定制开发第一阶段，有待时间才可转配并APP在进口涡流元元电子无线元电子无线器件封装元件封装封装中，看做強大的光电火箭释放源。

　　碳纳米管由于其优良的各种性质，被作为是良好的电子发射材料并已经开展电子发射的研究数十年了。碳纳米管发射体理论上可实现高达106A/cm² 的大电流密度发射，并已在实验得到6A/cm² 的发射电流密度。但是由于碳纳米管发射体在生长过程中的可控性较差，并对生长环境有着极为苛刻的要求，目前还没有成功制备出应用于各种大功率微波电子器件的合适的阴极阵列，同时，由于实际碳纳米管在场致发射过程的复杂性，需要考虑场屏蔽效应，器件放气，发射体过热烧毁等因素，需要对制备的阴极从衬底、图案、制备环境等新的要求。

　　本文通过热丝-化学气相沉积的方法，将在传统热阴极表面生长碳纳米管发射体阵列(实验中使用了CRT 中的阴极)。运用堆栈式催化剂结构，实现碳纳米管在小区域的定向可控生长；同时，采用热阴极自加热的方式，实现了生长过程中局部加热，温度可控，生长过程的示意图如图1 所示。生长所使用的热阴极表面如图2（a）所示，生长制备得到的阴极表面碳纳米管发射体形貌如图2（b）所示。