以铝掺杂质量分数为1%、2%、3%的Zn/Al 合金为靶材，采用直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了不同铝含量ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜。研究了衬底温度对AZO薄膜电学性能的影响；同时，研究铝掺杂量不同、电阻率相同的AZO 薄膜的载流子浓度与迁移率的关系。结果表明：随着Al 掺杂量的增加，薄膜最佳性能（透过率90%，电阻率6×10^{- 4} Ω·cm 左右）时的衬底温度值会降低；电阻率相同的样品，1%铝掺杂的薄膜迁移率和透光率均高于2%铝掺杂薄膜的。

　　透明图片体导电腐蚀物（TCO）聚酯透明膜具备着在所以光位置透明图片体和电阻功率率低等非常好的光电科技特点，被广泛应运应运于所有日光能光伏元器中。ZnO:Al 聚酯透明膜是过对ZnO 聚酯透明膜合适量的铝参杂使铝亚铁离子或铝氧原子到ZnO 晶格中，提升氯化钠晶体中随心所欲载流子浓硫酸浓度，若想加强ZnO 聚酯透明膜的导电特点。ZnO:Al 聚酯透明膜充当电极片施用成聚酯透明膜日光能电池箱必不容少的一个分。 　　在光伏发电元件的使用中，若ZnO:Al 透气膜中载流子溶液浓硫酸浓度过高，在近红外区域中会会造成随意载流子对光波的溶解，这将干扰单结c- Si:H 透气膜锂充电和a- Si:H/μc- Si:H 叠层锂充电的光电公司转为效果。的同时过高的Al 夹杂着量会造成晶格散射，会造成载流子转移率减低。所以咧，在十分高载流子的要素下，减低夹杂着溶液浓硫酸浓度、加快载流子转移率对加快透气膜导电率兼具必定的具体情况功用。 1、研究

　　本实验仪器是CS- 300 型磁控溅射仪，分别用Al 掺杂质量分数为0%、1%、2%、3%的180 mm×80 mm×5 mm 矩形Zn/Al 合金靶材，采用直流反应磁控溅射在玻璃衬底上制备不同Al 含量的AZO 薄膜（注：以后所指的掺杂含量均指靶材中铝的含量）。靶和衬底间的距离为7 cm。衬底表面预先用丙酮、无水乙醇和去离子水做超声波处理，去除玻璃上的油渍和其它可溶有机物，反应室中本底真空优于2.0×10^{- 3} Pa. 薄膜正式沉积前，通入高纯氩气预溅射10 min 以去除靶表面的污染物及氧化物，然后通入高纯氧气。反应的工艺参数如下：衬底温度在150~280℃之间，氧氩比为1：3.2，反应气压为0.5 Pa，功率为180 W，沉积时间均为30 min。

　　巧用XRD 研发AZO 胶片的结晶体组成部分。用传统化四探头方式 和UV- 3150 型IR- VIS- UV 分光光度算分别精确测量了胶片的方块阻值和光学玻璃互动交流率。胶片的厚薄采用了分光光度计自身膜厚计算公式公式的平台计算公式公式。 3、结语

　　以铝掺杂质量分数为1%、2%、3%的Zn/Al合金为靶材，采用直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了不同Al 掺杂量AZO 透明导电薄膜。结果表明：随着Al 掺杂量的增加，1%、2%、3%掺杂的薄膜最佳性能（透过率90%，电阻率6×10^{- 4} Ω·cm 左右）时的衬底温度值逐渐减小， 分别在230℃、210℃、180℃时电阻率最低。从XRD 图、SEM 图可推断出：少量Al 掺杂有利于ZnO 薄膜的晶粒生长，增加其导电载流子浓度；过多量Al 掺杂使ZnO 晶粒尺寸减小，导致其载流子浓度及迁移率降低。最后从自由载流子对近红外波段光子吸收的角度，分析得出本实验制备的电阻率相同样品，1%掺杂AZO 薄膜的迁移率和透光率均高于2%AZO 薄膜。