生长参数对Si1-xGex:C合金薄膜中元素分布的影响

2020-04-18 真空技术网真空科学与技术学报

　　摘　要：用化工气质联用淀积方式在Si(100)衬底上概念性发育Ge类物质渐变背景的Si1-xGex:C不锈钢膜.这篇文章利用能力折射率谱仪乔(EDS)和扫锚智能光学显微镜(SEM)对不锈钢膜的种元素淬硬层匀称和表明能形貌做出了探讨方法,具体分析探讨了概念性层的发育气温、发育时期对Si1-xGex:C不锈钢膜基本特征的导致.数据取决于,Si1-xGex:C概念性层发育气温和发育时期很大范围内内的上升增进了岛与岛相互之间的并成,力促了衬底Si水分子向表明能扩撒、表明能Ge水分子向衬底扩撒,且发育气温比发育时期对Si、Ge水分子互扩撒的导致大. 　　关键点词：Si1-xGex:C合金材料聚酯薄膜;散出;能量场反射率谱仪;耐腐蚀气相色谱淀积　　进行分类号：TN304.2　文章表示码：A 　　软文编码：1672-7126(2008)增刊-052-04 Growth Conditions and Stoichiometries of Si1-xGex:C Alloy Films Mei Qin　 Han Ping　 Wang Ronghua　 Wu Jun　 Xia Dongmei　 Ge Ruiping　 Zhao Hong　 Xie Zili　 Xiu Xiangqian　 Zhang Rong　 Zheng Youliao