蒸发镀膜过程中，从膜材表面蒸发的粒子以一定的速度在空间沿直线运动，直到与其他粒子碰撞为止。在真空室内，当气相中的粒子浓度和残余气体的压力足够低时，这些粒子从蒸发源到基片之间可以保持直线飞行，否则，就会产生碰撞而改变运动方向。为此，增加残余气体的平均自由程，以减少其与蒸发粒子的碰撞几率，把真空室内抽成高真空是必要的。

　　立即空器皿内多效减压蒸馏水塑料颗粒的均值随心所欲程大于等于多效减压蒸馏源与基片的距离(下面的称蒸距)时，也就会才能得到更加充分的真空环境状况。设蒸距(多效减压蒸馏源与基片的距离)为L，并把L说成是多效减压蒸馏水塑料颗粒相等的事实上里程，λ 为空气氧原子式结构的均值随心所欲程，设从多效减压蒸馏源多效减压蒸馏完成的水过热蒸汽氧原子式结构数为N0，在距离为L 的多效减压蒸馏源与基片之間发生的有种相撞的而散射的水过热蒸汽氧原子式结构数为N1，但是统计假设多效减压蒸馏水塑料颗粒常见与残留空气的氧原子或氧原子式结构有种相撞的而散射，则有 　　N1/N0= 1- exp(L/λ) (1) 　　在在常温(25℃)和有机废气空气压差为p(Pa)的水平下，稳定度有机废气空气分子式的平均水平自主程为

　　λ = 6.65×10^-1/pcm (2)

　　由上式计算可知，在室温下，p=10^-2 Pa 时，λ=66.5 cm，即一个分子在与其它分子发生两次碰撞之间约飞行66.5 cm。

　　图2 是蒸发粒子在飞向基片途中发生碰撞的比例与气体分子的实际路程对平均自由程之比值的曲线。从图中可以看出，当λ=L 时，有63%的蒸发分子会发生碰撞。如果平均自由程增加10 倍，则散射的粒子数减少到9%，因此，蒸发粒子的平均自由程必须远远大于蒸距才能避免蒸发粒子在向基片迁移过程中与残余气体分子发生碰撞，从而有效地减少蒸发粒子的散射现象。目前常用的蒸发镀膜机的蒸距均不大于50 cm。因此，如果要防止蒸发粒子的大量散射，在真空蒸发镀膜设备中，真空镀膜室的起始真空度必须高于10^-2 Pa。

　　伴随稳定度有害有害乙炔气在蒸镀的的过程 中对膜层的反应挺大，之所以概述负压室内设计的设计的稳定度有害有害乙炔气的起源，借以祛除稳定度有害有害乙炔气对保护膜服务质量的反应是最重要的。负压室中稳定度有害有害乙炔气碳原子式的起源具体是负压渡膜室内设计的设计的外表明上上的解吸放气、汽化器源施放的有害有害乙炔气、抽气态系的的返流或是设施生产专用设备的漏气等缘由所产生的。若渡膜设施生产专用设备的结构类型设计的及研发很好，则负压抽气态系的的返流及设施生产专用设备的漏气并也不会产生造成的反应。表l 提供了负压渡膜室内外壁单碳原子式层所活性炭物理吸附的碳原子式数Ns 与气质联用中碳原子式数N 的测值相近值。通畅在适用的高负压体系的中，入乎外表明上上所活性炭物理吸附的编织成单层碳原子式数，远远地高出气质联用中的碳原子式数。之所以，除过汽化器源在蒸镀的的过程 中常施放的有害有害乙炔气外，在填料密封和抽气态系的性能指标均很好和便于的负压体系的中，若压力表处在10- 4 Pa 时，从负压室壁外表明上上解吸粗来的有害有害乙炔气碳原子式就算负压体系的内的具体有害有害乙炔气起源。 　　表1 高抽真空下室壁单氧原子核结构层所气体吸附的氧原子核结构数与色谱氧原子核结构数之比

　　A-镀膜室的内表面积，cm²;V-镀膜室的容积，cm³;ns-单分子层内吸附分子数，个/cm²;n-气相分子数，个/cm³

　　残余气体分子撞击着真空室内的所有表面，包括正在生长着的膜层表面。在室温和10^-4 Pa 压力下的空气环境中，形成单一分子层吸附所需的时间只有2.2 s。可见，在蒸发镀膜过程中，如果要获得高纯度的膜层，必须使膜材原子或分子到达基片上的速率大于残余气体到达基片上的速率，只有这样才能制备出纯度好的膜层。这一点对于活性金属材料基片更为重要，因为这些金属材料的清洁表面的粘着系数均接近于1。

　　在10^-2 Pa～10^-4 Pa 压力下蒸发时，膜材蒸汽分子与残余气体分子到达基片上的数量大致相等，这必将影响制备的膜层质量。因此需要合理设计镀膜设备的抽气系统，保证膜材蒸汽分子到达基片表面的速率高于残余气体分子到达的速率，以减少残余气体分子对膜层的撞击和污染，提高膜层的纯度。

　　此外，在10^-4 Pa 时真空室内残余气体的主要组分为水蒸气(约占90%以上)，水气与金属膜层或蒸发源均会发生化学反应，生成氧化物而释放出氢气。因此，为了减少残余气体中的水分，可以提高真空室内的温度，使水分解，也是提高膜层质量的一种有效办法。

　　还应注意力蒸馏源在温度下的放气。在蒸馏源通电采暖器的时候，可先用挡片遮挡住基片，随后对膜材采暖器去气。在正式工镀一层薄薄的膜开使时再移开挡片。巧用该手段，可以效提高了膜层的高质量。