应用于CIGS太阳能电池窗口层的透明导电氧化物AZO薄膜的制备与研究
乳白色导电被氮化合物ZnO:Al(AZO)透明体膜致使其安全效能优秀、的成本价低的独到之处,以经促使了就越就越的关注公众号。它在微电商、半导体材料以其再生能源业内中均体现了比较浩瀚无垠的应运非常好。本文作者介紹了利用率磁控溅射技術分离纯化高安全效能应运于CIGS 太阳系能动力电池任务栏层的AZO 乳白色导电透明体膜的方法步骤,并系统化的测试仪和分析方法了透明体膜的安全效能。
一、前言
透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide,简称TCO)薄膜是近年来备受关注研究热点。被广泛的应用在微电子、半导体以及能源领域。目前氧化物透明导电材料包括In2O3、SnO2、ZnO及其掺杂系In2O3:SnO2(ITO)、SnO2:Mo(IMO)、SnO2:F(FTO)、ZnO:Al(AZO)等。在这之中,AZO薄膜由于其低成本、高的电导率和在可见光波段的高透过率而备受研究者关注。AZO薄膜的的制备方法有磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法等。本文详细介绍了利用磁控溅射系统制备高性能的AZO薄膜的工艺,并对不同制备条件下制备的AZO的薄膜进行了性能测试与表征。
二、制备设备及方法
直接在室温下用射频磁控溅射方法制备AZO薄膜的工艺,不对薄膜进行任何热处理。制备AZO薄膜的设备是本实验室自行设计制造的3靶磁控溅射系统。靶到衬底的距离是10cm,在衬底附近安装了一个热电偶,可以检测制备过程中,衬底的温度变化。由于AZO薄膜需要约600nm以上的厚度,才能具有较低方块电阻,要求溅射的时间较长。根据制备过程中的观测结果,在溅射的后期,温度升高约150~200℃。在整个制备过程中,衬底以每分钟10圈的速度转动,以保证薄膜的均匀。采用的靶材是重量比搀杂了2%Al2O3的ZnO陶瓷靶,其纯度达到99.99%。采用普通载玻片作为薄膜衬底,在制备前,用丙酮、无水乙醇及去离子水对衬底进行了超声清洗并纯氮吹干备用。试验研究了溅射功率、溅射气压对薄膜性能的影响。对薄膜的形貌及结构进行了SEM、XRD表征。用Shimazu(UV–VIS)分光光度计对其透光性能做了研究。
在沉积ZnO薄膜前,首先将溅射室抽到9×10-4Pa的本底真空,用大的Ar气流量对腔室进行冲洗,在1-2Pa范围内用强的等离子体对衬底和靶表面进行清洗。电源是美国AE公司的射频电源,频率13.56MHz,功率在100-200W,工作气压在0.3-1.0Pa。薄膜厚度用美国Dektak 6M台阶仪测定。
三、试验结果与分析
1、溅射功率和工作气压对薄膜方块电阻的影响
在衬底不加温的现状下,各是影响溅射功效和任务标准汽压,制得了两对板厚600nm的AZO复合膜。第一名组先是稳定的任务标准汽压0.7Pa,溅射功效在100-200W左右;2.组稳定的溅射功效RF180W,任务标准汽压在0.3-1.0Pa依据影响。溅射的气体使用99.5%的纯氩气。各是预估其方块电阻器随加工制作工艺 技术参数的影响曲线图,然而由图1(a)和(b)如图。
图1 600nm 厚AZO 薄膜的方块电阻和(a)溅射功率、
(b)工作气压的关系
2、薄膜厚度对方块电阻和光透过率的影响
对溥膜日光能锂电池,窗子层的规格也一个要采取的首要环境因素。薄的窗子层,暗示着着太多的光就能够利用,更节约了建材,因而减低代价。另一类管理方面,溥膜方块阻值值值器随规格的加强而减低,那么就要有总合采取溥膜的方块阻值值值器和溥膜光利用率。在综上所述最佳选择的工艺设备能力(0.3Pa,150W)下,光催化原理了不一样的规格的ZnO 溥膜,探析其导电性和透光率与溥膜规格的感情的。图2是溥膜方块阻值值值器和溥膜规格的波动感情的。随溥膜规格的加强,溥膜的方块阻值值值器更快减低,在600-800nm 主要可达到最长值。

3、薄膜的结构及表面形貌
溅射方式 配制的AZO 聚酰亚胺膜,寻常突出体现为C 轴保持平分线衬低外观的非常织化架构。图4列出在0.3Pa 和150W 要求下配制的600nm 的ZnO 聚酰亚胺膜的场释放出电镜外观和受力形貌。拥有显眼的柱状图金属材质晶粒度架构,金属材质晶粒度尺寸大小在100-150nm 两者,晶粒积极主动,织构化相对来说显眼。为了让进那步论述其晶粒状态,对有所差异机的薄厚的ZnO 聚酰亚胺膜做XRD 讲解,如图已知5 右图。全部的的聚酰亚胺膜在测式方向区间内,只表示出了(002)峰,突出体现出了是因为织构化而带来的定向倾向。 那样空间结构将调低光生载流子的组合,对CIGS 電池功能的增进是不利的。












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