高功率脉冲磁控溅射电源的研制

2013-04-24 王洪国 核工业西南物理研究院

  高功率脉冲磁控溅射(HPPMS) 因其高离化率而得到广泛关注。高压大电流脉冲电源是实现该技术的重要环节之一。本论文介绍了一种HPPMS 电源, 该电源由充电电源、斩波输出两部分组成, 给出了主电路框图。分析了大电流对斩波开关过电压的影响, 采用RC 吸收和续流有效地抑制了电压过冲, 用所研制的电源进行HPPMS 镀膜试验, 结果表明电源运行稳定可靠, 制备的薄膜表面清洁、致密, 其平均表面粗糙度很低。可以预见HPPMS 技术将会促进镀膜技术的发展。

  磁控溅射技术广泛用于薄膜制备领域, 可以制备工业上所需的超硬薄膜、耐腐蚀、耐磨擦薄膜、超导薄膜、磁性薄膜、光学薄膜以及各种具有特殊性能的膜。但传统的磁控溅射技术溅射金属大多以原子态存在, 金属离化率低, 可控性差, 沉积薄膜的质量和性能较难优化。近年来发展的高功率磁控溅射技术, 它的峰值功率可以比普通磁控溅射高两个数量级, 金属离子离化率可达70%以上, 某种程度上, 高功率脉冲磁控溅射(HPPMS) 集中了传统溅射和电弧的优点, 与现存的提高离化率的手段相比, 不需要新装置, 只需在原有的系统上增加一台脉冲电源[1- 2]

  现, HPPMS 电原适配器适配器的制造枝术尚存在踩油门时段, 对此小说作品制造枝术了峰最高值输出达300 kW 的HPPMS 电原适配器适配器,应用绝缘带栅双极型尖晶石管(IGBT) 逆变枝术、IGBT 斩波枝术、具备有高峰最高值输出、有利用率、长安智能化等特质,涡流枝术网(//crazyaunt.cn/)于小说作品用所制造枝术的电原适配器适配器做出HPPMS 镀晶应力测试, 彰显了积极的的特点。

1、电源研制

  HPPMS 开关工作任务电压由电动车充电桩开关工作任务电压、斩波导出机组等组合而成, 具备接连可调节的稳压、过流、太热、打火保护英文系统。设计方案开关工作任务电压为恒压机制, 输入脉冲发生器激光基线工作任务电压为-500~-1500 V, 瞬时电流为10~ 200 A, 脉宽30~ 150 us, 频次为10~ 400Hz。开关工作任务电压组成如下图图1 已知。电流开关工作任务电压在输入脉冲发生器激光间歇式期给电感(电感器)电动车充电桩, 在输入脉冲发生器激光工作任务时, 由电感(电感器)Cs 向等铁离子体装载电流。

HPPMS 电源示意图

图1 HPPMS 电表示图

1.1、充电电源

  充点供电为负整流电供电, 选用全桥逆变水平, 大减变小供电占地、重量质量, 增加了成公率。其具代表性结构类型如同2图甲中。图例的整流电路原理经电解电容C1 滤波后取得整流相整流电流降, 再由整流24v电源逆变身成为高頻交换方波。电磁相整流电流降整流24v电源的按钮规律选在20 kHz 以变小带磁开关元件的占地, 以免 燥声污染破坏等。整流24v电源传输经高頻电力配电变压器防晒隔离霜并调节成恰当的交换相整流电流降, 再经历过整流和滤波变身成为所须要的整流相整流电流降。本定制充点供电的传输公率为10 kW, 传输- 500~ - 1500 V/ 6 A。关规律为20 kHz, 上限占空比值0.8。除此级隔热相整流电流降技能等级为10 kV。主电力配电变压器变比值1:3。

充电电源典型结构

图2  e充电电源开关常见结构设计

1.2、斩波回路

  斩波一些是将交流电直流电压值进行斩波三极管成频繁 和脉宽均可调的智能。斩波一些形式图如图是3 随时。斩波三极管采用IGBT 是 转换控制开关并联电阻值计算在回路控制开关中, 进行4g网络信号高压的发生了器激发IGBT 来调接脉宽和频繁 。在4g网络信号高压的发生了器伤害电平为高时, IGBT 导通, 电容器C 上的直流电压值进行转换控制开关IGBT、电感L 、电阻值R 加在磁控靶上,溅射靶始于岗位。主智能高压的发生了器电平为低时, IGBT关断, 溅射靶停止任务岗位, 电感儲存的热量进行续流2级管D 减少。

斩波电路结构图

图3 斩波电路设计形式图

  磁控溅射在实际应用中容易发生打火现象, 电源必须设置短路打火保护装置。通过传感器检测斩波脉冲电流峰值信号, 控制器判断电流大于保护值,则直接使信号发生器输出低电平, 关断IGBT, 待打火消失后再重新工作。同时使用电感、电容限流, 以抑制起弧时的快速增长的大电流对电源的冲击。并采用RsCs 吸收电路防止过电压。缓冲电容Cs 的电容取值由下式可得[3]

缓冲电容Cs 的电容

  式中, Ip是集金属工业感应直流电基线。Vmax是IGBT 关断时同意的集金属工业直流电电阻器基线, 取比较大本职工作的本职工作的直流电电阻器的1.4倍; tf 集金属工业基线感应直流电从比较大降回0 的的时长。得Cs为0.5 uF。Rs 尽可能Cs 在是较为小的导通的时长ton 内击穿至所快充荷的5% , 则有t on(min) = 3RsCs, 则得Rs=13 欧 , 考量Rs 过大, 汲取目的难, 以后查找为5欧。另面对供电的性能指标, 对几台电解电容串并接结构储能技术单元测试卷的支路装配了电阻器均压器。

2、电源调试

  用这篇文生产的电磁电在外径5 cm 的弧形磁控溅射靶努力行了调测。图4 为在Ar 压力表在0.5Pa、最高值端电阻1000 V、率50Hz、脉宽100 us 下磁控发出电的端电阻和电压交流电正弦弧形图, 可以查出来, 电磁电压交流电正弦弧形图中刚开使时引发的呈尖峰状的一段时间电压交流电正弦弧形图为最高值电压交流电, 随着的电压交流电正弦弧形图较平缓。刚开使时的最高值电压交流电决定于默认值压力表, 表面气态化合物霸占制约身份; 随着的电压交流电值决定于发出电耗油率和靶村料物理性质, 表面和自溅射再次发生了密切连接。

气压0.5 Pa 峰值电压1 kV 的电压流波形

图4 气压表0.5 Pa 顶值电流值1 kV 的电流值流波形图

  图5 是0.4 Pa 气压、不同峰值电压下的放电电压和电流的波形, 电压分别为700, 800, 1000, 1200,1400 V。结果显示, 随电压的升高, 输出电流峰值增加, 宽度变宽。这是因为随电压的增加, 击穿点火容易, 离化百分比高, 离子量呈几何增加, 所以电流增加, 宽度变宽[2] 。图6 是1000 V 峰值电压、不同气压下的放电电压和电流的波形。气压分别为0.4,0.6, 0.8 Pa。结果显示, 随气压的升高, 输出电流峰值呈几何增加, 宽度变宽。

不同峰值电压下电压和电流波形

图5 各个顶值工作电流值下工作电流值和工作电流波形图

峰值电压1000 V 不同气压下的电压和电流波形

图6 最高值工作电压值1000 V 不一压力表下的工作电压值和电压弧形   图7 是HPPMS 释放制法的Ti 膜, 可以看到, 制法的贴膜外观擦洗, 紧密, 其月均外观粗燥度很低,无负极弧制法的贴膜中那么样的大颗粒剂会出现。

HPPMS 制备的Ti 膜

图7 HPPMS 配制的Ti 膜

3、结论

  本诗研制开发一堆台HPPMS 电原, 明确了电原前端框架图和主集成运放拓补空间结构图, 分折了主集成运放中其他的关键高枝术。用于RC 吸收的作用和续流肖特基二极管庇护IGBT, 拥有平衡靠普、更快运行、高峰峰值最大功率、多个岗位任务频繁的特征。表层的表层的镀膜现场实验报告单意味着, 该电原岗位任务平衡靠普,分离纯化的塑料膜外表清洁、平滑, 大颗粒状好少。也可以超越HPPMS 高枝术机会提高网站表层的表层的镀膜高枝术的發展。

参考文献

  [1] Ulf Helmersson, Martina Lattemann, Johan Bohlmark, et al. Thin Solid Films[J] , 2006, 513: 1-24

  [2] 吴忠振, 田修波, 王泽明, 等. 真空科学与技术学报[J] , 2011, 31(4) : 459- 464

  [3] 梁伟恩, 付翔, 杨军. 电子元器件应用[J] , 2010, 12 (6) : 40- 42

  [4] Andr Andersa, Joakim Andersson, Arutiun Ehiasarian. Appl Phys[J] , 2007, 102: 113303

  [5] 田修波, 吴忠振, 石经纬, 等. 真空[J] , 2010, 47(3) : 44-47