本文使用分子动力学方法模拟低能CH 与碳氢薄膜的相互作用, 以探讨在核聚变过程中CH 的再沉积行为及对面向等离子体材料性质变化的影响。选择的入射能量分别为0.3, 1, 5, 10 eV。模拟结果表明随着入射能量的增加C 原子与H 原子的吸附率增加, 且在入射能量大于CH 离解能的情况下, 同一能量下H 原子的吸附率小于C 原子的吸附率。随着入射能量的增加, 薄膜的厚度增加, 薄膜中含有Csp2的范围变宽, 并且表面逐渐转变为Csp2表面。薄膜中的C 主要以Csp3形式存在,其次是Csp2, 几乎不含Csp1。通过统计薄膜中的CHx( x 为1~ 4) 发现CH 占优势, 其次是CH2 , 而CH4 的量非常少。
在托克马克核聚变装置运行期间, 作为面向等离子体材料的石墨将受到从等离子体约束区逃逸出来的H 离子和中性原子持续轰击, 将产生以下效应: 1、 在第一壁的表面形成一层碳氢薄膜;2、 壁材的
刻蚀产物CxHy 回到等离子体约束区被离化而获得更大的能量重新沉积在第一壁材上使碳氢薄膜得到了生长。这些效应产生的结果将使石墨材料的机械和热学性质的衰退, 并且降低等离子体的温度以及纯度从而影响等离子体的维持。因此, 研究CHx 的再沉积行为和碳氢薄膜的生长有助于全面了解等离子体与壁材料表面的相互作用, 促进核聚变装置中壁材料的发展 。众所周知, 在等离子体与固体
材料表面相互作用的实际过程中, 等离子体中含有各种各样的离子和中性基团, 以致于通过实验手段难以判断每一种粒子在作用过程中所充当的角色。这使得到目前为止等离子体与壁材料的相互作用机制仍然不明朗, 阻碍了核聚变的发展。
分子式式动能学( MD) 形式也是种能避免实验性上的难处并从分子式数率上模以机等化合物体与固状食材互相目的的强有力工具软件。Atsushi Ito 与Hiroaki Nakamura 模以机了石墨在H 及H 的放射性核素D( 氘) 和T( 氚) 的目的下的溅射前提。最终彰显随入射激光卡路里消耗是什么的增多,由D 和T 因起的外面拉伤频率高与H 因起的外面拉伤高速度。当溅射提升稳定的态时, C 分子式的溅射率随激光卡路里消耗是什么的增多而增多。顾客的科研最终还外观入射水物体的型号对C 分子式的溅射率不会有太大了的利用。Salonen 和Nordlund 等科研了H 和非晶SiC 的互相目的。最终彰显在激光卡路里消耗是什么为30 eV 的经济条件下, 当Si 的夹杂着量为10%时, Si 分子式基本上不会有产生溅射, C 分子式的电化学溅射量最短, 比纯石墨结构类型的C 分子式的溅射量小1.5 倍。这外观往C 食材中夹杂着少量的Si 能提升面向基层等化合物体食材的利用生命周期, 继而危害了等化合物体干涉区的其它杂物含锌量。Trskelin 和Salonen 等利用分子式式动能学形式模以机了入射维度和入射激光卡路里消耗是什么对CH3 在C 外面粘附的利用。最终外观当入射维度从0度增多到67.5度!时, CH3 的粘附横截面随入射维度的增多而危害, 粘附机率随入射激光卡路里消耗是什么的增多而增多。这外观水物体的入射维度对目的过程中 有一个定的利用。
近几年前, 对石墨原料身为壁原料的理论科学科学研究其主要收集于对H, D 和T 粒子束与石墨、参杂了Si 的C 原料和非晶碳氢外观层上的之间用处相应碳氢水大分子团( CxHy )和非晶碳外观层上的之间用处的理论科学科学研究, 较很少关CHx 和非晶碳氢外观层上用处的理论科学科学研究。由于下面将安全使用大分子扭矩学策略模以低能CH 水大分子团与碳氢bopp贴膜的之间用处, 以赚取CH 与碳氢bopp贴膜用处时有的生理反应和碳氢bopp贴膜在CH 的用处下所有的的变化规律,可以进的一步全面、明确分析等化合物体与原料外观层上之间用处缘由和CH 的再沉积状做法相应bopp贴膜质地的的变化规律。
3、分析方法
从文中食用原子能量学的方式模拟机了低能CH 与碳氢透明膜的主动做用, 经由介绍和议论求出一些假设:
(1) C 分子和H 分子的吸收率随入射卡路里的加入而加入, 且在同一时间卡路里下H 分子的吸收率超过C分子的吸收率;
(2) 随入射电能的提升, 塑料膜和珍珠棉的厚薄提升, 但是塑料膜和珍珠棉的近表明领域的C 氧分子的体积硬度以上H 氧分子的体积硬度;
(3) 当入射卡路里转换为5, 10 eV 时, 溥膜漆层的C 的方式首要是Csp 2。在使用的卡路里转换下溥膜中的C 首要以Csp 3 的方式留存, 二、是Csp 2;
(4) bopp薄膜中包含有的CHx ( x 为1~ 4) 为CH 占的优势。