首先采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了电导率为0.13 S/cm、晶化率为50%的p型微晶硅,然后制备了μc-Si∶H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池。初步研究了硼掺杂比、辉光功率密度、p型硅薄膜的厚度和氢处理时间等这些参数对电池开压的影响。在优化的工艺参数下得到异质结电池最大开路电压Voc为564mV。

　　p型透明膜硅;异质结阳光电瓶;串入电压值;微波射频等铁离子体不断增强化学工业气相色谱形成 　　Abstract: The p-type microcrystalline(μc) silicon thin films were grown by RF plasma enhanced chemical vapor deposition(RF-PECVD) on glass substrates,and the μc-Si:H(p)/c-Si(n) hetero-junction solar cells were fabricated with the films.The impacts of the growth conditions,such as the pressure,boron-doping,discharge power,substrate temperature,gas flow rate,and concentration of silane,on the microstructures and properties of the films were studied.The current-voltage characteristics of the hetero-junction were evaluated.The preliminary results show that the solar cells,made of the films grown under optimized film growth conditions,works well with an open-circuit voltage of 564 mV.Possible improvement of the μc-Si film growth was also tentatively discussed. 　　Keywords: Microcrystalline silicon films,Heterojunction solar cells,Open-circuit voltage,RF-PECVD 　　母基金活动: 国关键探索发展前景设计规划(报批号:2006CB202601);; 辽宁省的基础与探究高技术探索工作方案(报批号:82300443203)助学金的研究 　　氢化微晶硅( c-SiH) 膜是由納米晶硅、金属材质晶粒分界、非晶硅和断层或空洞等有着的融合相板材, 它有着高夹杂成功率、高水的电导率相应大的载流子转入率等益处,此外还有着比氢化非晶硅更宽的光谱分析初始化失败区域[1],那么在膜阳光直晒电板有着广泛性的采用; 许许多多论述都单位证明硼夹杂p 型微晶硅十分好做微晶PIN 电板的市场板材[ 2- 3] 。近几年制取p 型氢化微晶硅的使用沉淀技木有: 等铁离子体促进药剂学式液相沉淀(PECVD) 、热丝药剂学式液相沉淀( HWCVD) 和微波射频药剂学式液相沉淀, 使用夹杂氧气源有B2H6, B( CH3 ) 3 和BF3,在这其中PECVD 使用的是B2H6。 　　在c-Si 上发育的一层氢化非晶硅或氢化微晶硅塑料膜构成的异质结月亮电芯箱箱, 这款电芯箱箱p-n 结化学合成按照了塑料膜岩浆岩的高温度制作工艺( < 200  ) , 一方面以减少了耗能, 又避开了硅片在高温度时候中安全性能参数的蜕化, 并且又发挥出来了尖晶石硅的原材料的高安全性能参数的竞争优势, 于是, 硅异质结月亮电芯箱箱还具有高成功的英文率的率、增强和节省成本投入的缺点有哪些, 展出出而非宽阔的应运未来。近几年国外的对这款电芯箱箱的探索未来发展异常急剧, Mikio Taguchi 等[ 4] 成功的英文地在100􀀁4m2 的硅片上得到了成功的英文率自由高达23% ( 经AIST 法测)的HIT 月亮电芯箱箱, 可是我国国内相关的英文异结电芯箱箱的探索质量还很且落后, 到近几年已经, 很高的转变成功的英文率为17.27%[ 5] , 于是很有必要的性对这款异质结电芯箱箱开展业务进一部的探索。

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