反应溅射外延半金属Fe3O4薄膜的各向异性和界面耦合
2012-11-12 李 鹏 天津大学理学院现代材料物理研究所
反应溅射外延半金属Fe3O4 薄膜的各向异性和界面耦合
李 鹏 刘晓芬 金 朝 米文博 姜恩永 白海力 (唐山上大学理基地目前的食材力学分析所 唐山 300072;唐山市低维功效的食材力学与配制技术工艺突出实践室 唐山 300072) 结语 半彩石件Fe3O4 存在较高的居里的温度(858 K)和基础理论上100%的自旋极化率,是自旋电子技术学元件的满意侯选素材。历余年来Fe3O4 考虑到其半彩石件形态而备受瞩目观注。当我们用于对向靶发生反应溅射法在MgO、c–Al2O3、SrTiO3、Nb:SrTiO3、ZnO 等基低上化学合成了本质Fe3O4 溥膜各种本质Fe3O4/ZnO、Fe3O4/Nb:SrTiO3、Fe3O4/BiFeO3 等异质设计,并对其磁各向异形和各向异形磁电阻功率来进行了探讨。 X放射性元素衍射和横剖面高判别散发出电镜的最终结果显示均阐明在单结晶体硅基低所用的化学反应溅射法治备的Fe3O4 为含有尖晶石形式的外延性聚酰亚胺膜。图1 给定了Fe3O4/MgO 的横剖面高判别散发出智能器件体视显微镜图文。图1 右上方的配图中为Fe3O4/MgO 表面处的智能器件衍射图,其单结晶体硅智能器件衍射的点阵与X 放射性元素衍射解析一下的最终结果显示相统一。X放射性元素光智能器件能谱和二氧化碳激光显微拉曼光谱解析的解析一下阐明样品英文中不存有与Fe3O4 含有差不多结晶体形式和相进晶格常数的γ-Fe2O3。 在概念Fe3O4 保护膜中观擦等到与传统艺术两重轴呈不等势面的各向女性朋友磁热敏内阻不一的四重轴呈不等势面的各向女性朋友磁热敏内阻,就像文中2 如图是。觉得高呈不等势面性的各向女性朋友磁热敏内阻与本征植物的生长的缺陷反相的边界旁的反铁磁藕合和供试品的磁晶各向女性朋友频繁想关。Fe3O4/BiFeO3 异质概念的结构的过剩磁化难度与BiFeO3 保护膜薄厚存在的反比例再次发生改变直接关系。BiFeO3 保护膜薄厚约为22 nm 时,Fe3O4/BiFeO3 异质结的过剩磁化难度值增变大33%,其电磁学规则是在另加磁体的做用下,Fe2BO4/FeO 工具栏层处的两互通过轨道交通协同再次发生铁磁双相互交换做用已经Fe 正离子磁矩转变为铁磁排列成而会造成磁矩减弱。 投资债券投资項目:国家地区大自然生物学投资债券投资項目(50371061;50672064;51072132 & 51272174)









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