溅射气压对PI衬底CIGS薄膜太阳电池Mo背电极的影响

2013-04-29 李志国 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室

　　主动聚酰亚胺(PI)衬底Cu(In,Ga)Se2(通称CIGS 或铜铟镓硒)贴膜太阳星充电电瓶有着高品产品质量耗油率比、适用于卷对卷整体规范化生產和人工成本低等优缺点，其商务的发展发展面临宽泛的关注。Mo 贴膜对于CIGS 贴膜充电电瓶的背探针，其热热胀标准值最低PI 衬底，由此理论研究与之自动匹配的Mo 贴膜异常重要性。

　　本文采用直流磁控溅射方法在PI 上沉积Mo 背电极，研究不同溅射气压对Mo 薄膜电学特性、结构特性及对CIGS 薄膜太阳电池的影响。

　　终极表述，发生变化溅射风压提升，PI衬底上Mo 保护膜的稳定度压力减小，漆层裂缝显著减少，但保护膜成果效率降低，电阻功率率显著偏高，黏附力减少。综合Mo 背金属电极材料对黏附力、稳定度压力和电学特点的标准要求，终极光催化原理出了适于PI衬底CIGS 保护膜阳光直晒动力电池板的Mo 背金属电极材料，动力电池板集成电路芯片效能显著提升。