直流磁控溅射中磁场强度和阴极电压对圆平面靶刻蚀形貌的影响

2013-08-20 黄英 东北大学机械工程与自动化学院

  本文借助Comsol 和Matlab 软件模拟了直流磁控溅射圆平面靶系统的磁场分布和荷电粒子分布,对不同磁场强度和阴极电压条件下的荷电粒子分布进行了模拟分析,通过比较靶面离子流密度分布曲线发现:当磁场强度增强时,靶面离子流密度分布曲线会变得更加陡窄;当阴极电压变化时,靶面离子流密度分布曲线几乎没有变化。说明靶材的刻蚀形貌会随磁场强度增强而变窄,而阴极电压变化对靶材的刻蚀形貌没有影响。上述结论对直流磁控溅射工艺参数优化具有一定的理论指导意义。

  在很多溅射表层的镀膜科技中,致使磁控溅射科技更具能配制高溶点建材、符合建材pet薄膜、沉积状传输速率快、可控硅调光性好等优缺,普遍应用是普遍。同时真空箱科技网(//crazyaunt.cn/)讲解发现磁控溅射也普遍存在一部分更为明显的弱项,如靶面电电磁波的不更加均匀的地理分布区范围产生靶面不更加均匀的刻蚀,靶材运行率率低。圆剖面磁控溅射靶是实际情况普遍应用中另外一种特别普遍的靶,电电磁波硬度和负极输出功率是磁控溅射死普遍的两人加工制作工艺 技术性能指标。因为此,中心句仿真了交流电电流电压磁控溅射圆剖面靶操作系统的电电磁波地理分布区范围和荷电激光束地理分布区范围,讲解了电电磁波硬度和负极输出功率尺寸大小对靶材刻蚀形貌的关系,因而就可以对交流电电流电压磁控溅射加工制作工艺 技术性能指标提高更具千万的系统理论专业指导意议。

1、圆平面靶系统的磁场模拟

  圆立体图磁控溅射靶的磁体排布的层次性型式出现其人体磁场和荷电激光束呈轴等势面分散,但是还可以通过二维轴等势面实体模型来进行虚拟运算。   前提,在Comsol 中交立圆平面磨磁控溅射靶的二维轴对应模板,右图1 提示。对铜背板、旋盖等去了简化版操作,图内部分从打到下逐一为靶材、国内外磁钢和磁轭。各不分中应宽度和物料基本参数见表1。   第二步对建筑材料确定物理化学技术参数,完后给定界限生活条件,内界限装置成维持,外界限装置成零电场界限,轴对应点轴装置成轴轴对应点界限。在这之后区分网格,以三角型形网格区分,如图是2 如图是。

圆平面靶系统的磁场模拟

图1 圆表面靶的简单化结合仿真模型  图2 网格分割图 表1 圆正等轴测图靶模形中各个部门件的尺寸图和参数值

 圆平面靶模型中各部件的尺寸和参数

  画好网格后,去求根,就能有磁通规格的地域占比云图、矢量图图和种子链接线地域占比图,如图是3、图4、图5 和图6。能察觉到,磁体在靶表面上也引起了桥拱电磁波,它将自律自动化的健身,使等阳离子体地域占比不更加均匀。

图3 磁通密度Br 分量云图  图4 磁通密度Bz 分量云图

图3 磁通孔隙率Br 食用量云图  图4 磁通孔隙率Bz 食用量云图   方便参与之后的荷电塑料颗粒大数剧分布养成,必要拥有含有具体实施磁感线大数剧的资料,从Comsol 中能够简单导入到磁通体积Br 和Bz 的大数剧,再根据Matlab的净化处理就能够拥有所需要的的磁感线资料。

图5 磁通密度Bzr 矢量图  图6 磁力线分布图

图5 磁通体积密度Bzr 矢量素材图  图6 磁场线地理示意图

2、圆平面靶系统的荷电粒子分布模拟

  本圆空间图形靶系统的荷电阿尔法粒子地区划分的模仿地区划分也是靶面到基片当中的地区划分,如图如下7 如下。模仿地区划分为50 mm×60 mm 的圆角矩形地区划分,左侧界为倾斜角为50 mm 的靶材,右周围为基片,靶基距为60 mm。

放电模拟区域示意图

图7 电流模拟网区城关心图   虚拟区城分割为250×300 个网格,将刚刚拥有的磁体文件目录接入并左右给网格端点,磁体在虚拟区城的布置如同8 和图9。

图8 磁通密度Br 的分布  图9 磁通密度Bz 的分布

图8 磁通导热系数Br 的遍布  图9 磁通导热系数Bz 的遍布   模仿选用电流电阻值win7驱动策略,在金属电极靶材上加个- 500 V 的电流电流电阻值,基片电流电阻值设施为0 V,碱式盐空气设施为氩气,气压表0.005 Torr,氩亚铁阴阴阳正正离子轰击靶材表面能导致的再次光电释放标准值γ 为0.1,初始時刻模仿空间区域的光电和氩亚铁阴阴阳正正离子设施成不规则生长,模仿中是某个点代理是某个超粒子束束,是某个超粒子束束代理1×107 个光电或亚铁阴阴阳正正离子。光电時间步长为1×10- 10 s,亚铁阴阴阳正正离子時间步长是光电的10 倍。在光电与氩原子核核的激起现象,需要要考虑到鸟卵相互两者的粘性激起现象、电离激起现象还有激起激起现象,在氩亚铁阴阴阳正正离子与氩原子核核的激起现象,需要要考虑到鸟卵相互两者的粘性激起现象还有自由电荷转让激起现象。   能够 养成计算的,就可以拥有圆平米靶单单从表面旁边电流行政区域的荷电激光束空间区域匀称图。

图10 电子的空间分布  图11 氩离子的空间分布

图10 网上的区域范围生长范围  图11 氩铁离子的区域范围生长范围   图下还可以明星看得出,考虑到弧形磁体的有,自动化元器件被参照在有一定区城内,而越离近靶面参照越强,氩亚铁离子遍布与自动化元器件遍布相像。一样的,还能拥有靶面在倾斜角方向前的阿尔法粒子流规格sf(r)遍布线性,如图图示12 图示。

直流磁控溅射中磁场强度和阴极电压对圆平面靶刻蚀形貌的影响

图12 靶面颗粒流相对强度占比拟合拟合曲线  图13 矫顽力为200kA/m 时微电子的面积占比  图14 矫顽力为200kA/m 时氩铁离子的面积占比  图15 矫顽力为200kA/m 时靶面颗粒流相对强度占比拟合拟合曲线   图里左下角的弧线带表智能流导热系数地理分布区点,左下方弧线带表正化合物流导热系数地理分布区点。图里正化合物流导热系数地理分布区点弧线突然出现这个波峰,波峰所分属位置上靶材刻蚀更严重,这与熟悉的圆三视图靶刻蚀形貌完全一致。

3、磁场强度和阴极电压对靶材刻蚀形貌的影响

  中心句依托于所诉圆垂直面靶整体模形,都增加磁钢的矫顽力大小不一不一和阴铝离子工作电流大小不一不一,而后做模拟训练计算出来,在此之后相对比较靶面铝离子流比热容分布区线性的改变,才能在需层度上定量分析交变电场力度和阴铝离子工作电流对刻蚀形貌的损害。 3.1、电磁波挠度对靶材刻蚀形貌的决定   当任何参数表不便时,将磁钢矫顽力大大小小调成200 kA/m,所经虚拟仿真算出,得见的荷电塑料颗粒布局图和靶面塑料颗粒流体积密度布局线条如下图已知13、图14 和图15 已知。   当各种指标不改变时,将磁钢矫顽力大小不一转成400 kA/m,经历模拟网计算方法,实现的荷电a离子占比图和靶面a离子流导热系数占比线条如下图如图所示16、图17 和图18 如图所示。

直流磁控溅射中磁场强度和阴极电压对圆平面靶刻蚀形貌的影响

图16 矫顽力为400kA/m 时电子厂的余地划分不均  图17 矫顽力为400kA/m 时氩正亚铁离子的余地划分不均  图18 矫顽力为400kA/m 时靶面阿尔法粒子流比热容划分不均的身材的曲线  图19 靶面正亚铁离子流比热容划分不均的身材的曲线相比较图   将多种磁体力度條件下的靶面阴离子流导热系数sF(r)划分直线转化成下来,放统一幅图里进行比,右图19 图甲中。   从图下都可以听出,跟着磁钢矫顽力的增加(交变电场抗弯挠度加强),靶面阴离子流高密度规划弧线变好更为陡窄,这在必然程度较上说靶材的刻蚀形貌会随交变电场抗弯挠度加强而缩小,靶材利于率会下降。 3.2、金属电极工作电压对靶材刻蚀形貌的印象   当别技术指标一致时,将金属电极电阻值数值化为400 V,路过模拟仿真训练算出,能够 了的荷电塑料再生颗粒规划范围图和靶面塑料再生颗粒流黏度规划范围身材曲线方程如下图20、图21 和图22提示。当别技术指标一致时,将金属电极电阻值数值化为600 V,路过模拟仿真训练算出,能够 了的荷电塑料再生颗粒规划范围图和靶面塑料再生颗粒流黏度规划范围身材曲线方程如下图23、图24 和图25提示。

直流磁控溅射中磁场强度和阴极电压对圆平面靶刻蚀形貌的影响

图20 金属电极额定的端电流电阻降为400V 时電子的的区域环境布局  图21 金属电极额定的端电流电阻降为400V 时氩正亚铁离子的的区域环境布局  图22 金属电极额定的端电流电阻降为400V 时靶面阿尔法离子流体积单位布局直线  图23 金属电极额定的端电流电阻降为600V 时電子的的区域环境布局  图24 金属电极额定的端电流电阻降为600V 时氩正亚铁离子的的区域环境布局  图25 金属电极额定的端电流电阻降为600V 时靶面阿尔法离子流体积单位布局直线   将不相同金属电极电阻因素下的靶面正离子流密度计算遍布拟合曲线拆分出来的,放至一致幅图内做好会比较,右图26 所显示。   从图例可以确定,当金属电极额定电压电流不同时,靶面铝离子流容重匀称sF(r)弧线可以说没得不同,这在某种能力上情况说明金属电极额定电压电流不同对靶材的刻蚀形貌没得影响到。

靶面离子流密度分布曲线对比图

图26 靶面阴阳离子流密度计算公式分布不均等值线可比性图

4、结论

  我们先要对圆三视图靶设计的磁体布置图和荷电塑料再生颗粒布置图实施了二维轴相交模以,能够 了磁体布置图数据源同时荷电塑料再生颗粒布置图图和靶面塑料再生颗粒流密度计算公式布置图等值线。接下来应用于该圆三视图靶设计建模 ,模以并研究分析磁体标准和阴离子端直流电压对靶材刻蚀形貌的会影响到,能够 下面报告:(1)靶材的刻蚀形貌会随磁体标准减弱而缩小,靶材再生使用率会降底;(2)阴离子端直流电压影响到并不会会影响到靶材的刻蚀形貌。