本论文在超高真空分子束外延(MBE)系统中对单晶6H-SiC 逐步升温退火，在1250℃~1350℃温度范围内(6 3 ´6 3)R30°重构表面外延生长出高质量的单晶石墨烯。

　　巧用原位射线式胆因醇智能电子衍射仪(RHEED)和原位扫描机桥隧光学显微镜(STM)研究方法SiC 外表面石墨稀材料化的阶段以至于共价键组成部分功能。知道，在较高的去应力降温室内室内温度具体条件下(1400℃及不低于)，外加石墨稀材料边际处会变成凸起的山脊组成部分，且随去应力降温室内室内温度升湖泊脊宽度增多。 　　线扫锚浅析显示，铅直于山脊节构方问的晶格常数比比较好纳米材料硫化锌的大19.8%，即对此山脊节构必须度上受到了张热压力反应，与此前有关热失配压热压力引发山脊节构的导致机制化各种。Raman 光谱图定量分析看到，2D 峰位整体来说表现形式为蓝移，但总有红移的分峰，代表着着另有张热压力范围的产生。 　　研究指出，Si 电子层在发展路线上的堆砌很容易促进外表石墨烯材料材料的鼓鼓的，以此也可以影响山脊形式的养成，且可以产生 张地应力，以此提供了SiC 高的温度热解石墨烯材料材料山脊形式养成的新机。