石墨烯的制备方法和应用
石墨烯(Graphene) 作为碳纳米材料中的典型代表,以其具有极好的晶型和电学性能而引起了科学家的广泛关注和极大兴趣。本文一方面对石墨烯的主要制备方法以及原理进行介绍,另一方面,针对石墨烯在纳米电子器件等诸多领域的广泛应用做出概述。低成本大批量地制备石墨烯材料对石墨烯的研究和应用意义重大。
碳nm级原料是现如今新原料范围中备受加关注的论述wifi,另外碳nm级管(Carbon Nanotube,CNT) ,石墨稀( Graphene) ,相应富勒烯( Fullerene) 是碳nm级原料的几乎特征性代表性。由想一想赋予良好且独家的光学仪器、电学和设备属性,而能极具多方面的用未来。在三种方法几乎特征性的碳nm级原料中,二维的石墨稀是制成一维碳nm级管和零维富勒烯的几乎模快( 图1) ,极具优异的晶型和电学耐热性。
石墨烯(Graphene) 自2004 年被英国曼彻斯特大学教授Geim 等报道后,以其奇特的性能引起了科学家的广泛关注和极大兴趣。单层石墨烯以二维晶体结构存在,厚度只有0.334 nm,它是构筑其他维度碳质材料的基本单元,它可以包裹起来形成零维饿富勒烯,卷起来形成一维的碳纳米管,层层堆积形成三维的石墨。石墨烯是一种没有能隙的半导体,具有比硅高100 倍的载流子迁移率( 2 × 105 cm2/V) ,在室温下具有微米级自由程和大的相干长度,因此石墨烯是纳米电路的理想材料。石墨烯具有良好的导热性[3000 W/( m·K) ]、高强度(110 GPa) 和超大的比表面积(2630 m2/g) 。这些优异的性能使得石墨烯在纳米电子器件、气体传感器、能量存储及复合材料等领域有光明的应用前景。
1、石墨烯的制备方法
近些年,石墨烯材料的制作方式通常有机的械法、防氧化石墨完美重现、热溶解SiC 法、生物岩浆岩种植法、外延性法等。 1. 1、微机诫剥除法 2004 年,Geim 等头次用微机剥落法,顺利从高定向分配热裂解石墨(highly oriented pyrolytic graphite) 上剥落并观察到编织成双层结构纳米材料材料材料。Geim 研究方案组配制的编织成双层结构纳米材料材料材料的最大程度屏幕屏幕宽度匹配匹配还可以达到10 μm。其策略最主要是是用氧等阴阳离子束在高趋向热解石墨(HOPG) 漆层刻蚀出宽20 μm ~2 mm、深5 μm 的槽面,并将其压榨在附有光致抗蚀剂的SiO2 /Si 基低上,焙烧后,用透亮胶纸复发剥落出多出的石墨片,剩的在Si 晶片上的石墨薄片泡浸于甲苯中,并在过量的水与丙醇2017中超声擦拭,出掉基本都数的过厚片层后拥有它的高度大于10 nm 的片层,这类薄的片层最主要是借助于范德华力或毛细管用处力与SiO2牢固组合,结尾在氧分子力高倍显微镜下挑出它的高度仅有一个单氧分子层厚的纳米材料材料材料片层,此策略还可以拥有屏幕屏幕宽度匹配匹配达μm长度的纳米材料材料材料片,但很容易拥有独立的的单氧分子层厚的纳米材料材料材料片,成品率也很低,从而不是合大量较的工作及操作。 之后Meyer 等将微机分离法冶得的包含的三层石墨稀的Si晶片安放于个 刻蚀的废废金属墙上,用酸将Si 晶片腐蚀性掉,实现目标制法了由废废金属支吊架支撑力的倾斜的三层石墨稀同用散射电镜监测其形貌。其论述之后发现三层石墨稀并没有个凹凸不平的剖面,是剖面上长千万非常( 5 ~10 nm) 的皱褶,三层石墨稀表层皱褶地步强烈少于双层玻璃石墨稀,且因为石墨稀柱高的增长皱褶地步越多越小,这能够是因此三层石墨稀为降底其表层能,由二维向3D形貌换为,于是可推断石墨稀表层的皱褶能够是二维石墨稀都会出现的必备的条件,石墨稀表层的皱褶对其效能的影响到急待进1步摸索。微机戒分离法能能制法出优质化量的石墨稀,但都会出现产出率低和价格高的达不到,吐槽足工业制造化和投资额性化的制作耍求,现有只要充当实验英文室小投资额性制法。
化学气相沉积(CVD) 法提供了一种可控制石墨烯的有效方法,与制备CNTs 不同,用CVD 法制备石墨烯时不需颗粒状催化剂,它是将平面基底( 如金属薄膜、金属单晶等) 置于高温可分解的前驱体(如甲烷、乙烯等) 气氛中,通过高温退火使碳原子沉积在基底表面形成石墨烯,最后用化学腐蚀法去除金属基底后即可得到独立的石墨烯片。通过选择基底类型、生长温度,前驱体流量等参数可调控石墨烯的生长(如生长速率、厚度、面积等) ,此方法已成功地制备出面积达平方厘米级的单层或多层石墨烯,其最大的优点在于可制备出面积较大的石墨烯片(图3) 。

该方法一般是通过加热6H - SiC 单晶表面,脱附Si( 0001面) 原子制备出石墨烯。先将6H - SiC 单晶表面进行氧化或H2刻蚀预处理,在超高真空下( 1.33 × 10 -8 Pa) 加热至1000 ℃去除表面氧化物,通过俄歇电子能谱(Auger electron spectroscopy)确认氧化物已完全去除后,样品再加热至1250 ~ 1450 ℃并恒温10 ~ 20 min,所制得的石墨烯片层厚度主要由这一步骤的温度所决定,这种方法能够制备出1 ~ 2 碳原子层厚的石墨烯,但由于SiC 晶体表面结构较为复杂,难以获得大面积、厚度均一得石墨烯。Berger 等利用该方法分别制备出了单层和多层石墨烯并研究其性能。与机械剥离法得到的石墨烯相比,外延生长方法制备的石墨烯表现出较高的载流子迁移率等特性,但观测不到量子霍尔效应。
1. 4、电无机化学做法 Liu 等在化学式防氧化石墨棒的办法光催化原理了石墨稀。用户将俩个高纯的石墨棒平行线地进到这一领域包含有正阳阴阳铁离子固态的水氢氧化钠溶液中,控制线电压在10 ~20 V,30 min 后阳极石墨棒被结垢,正阳阴阳铁离子固态中的阳正阳阴阳铁离子金属电极回归建立随意基,与石墨稀片里的π 光电子搭配,建立正阳阴阳铁离子固态模块化的石墨稀片,末尾用无水甲醇洗條电解抛光槽中的红色沉淀出的物,60 ℃下干涩2 h 就好能够 石墨稀。此办法可是一步光催化原理出正阳阴阳铁离子固态模块化的石墨稀,但光催化原理的石墨稀片层不小于单分子层料厚。 1.5、巧妙生成法 Qian 等借助有机会获得法冶备了拥有选择空间结构特征特别无缺陷的石墨稀nm带。这些所用四溴苝酰亚胺( tetrabromo -perylenebisimides)算作竞聚率,该药剂学物质在碘化亚铜和L-脯氨酸的滋养下就能够产生多原子间的偶联发生反应,能够 了有差异 尺寸的并苝酰亚胺,完成了含酰亚胺基团的石墨稀nm带的效率高药剂学获得;这些还用效率高高效液相破乳出了两类三并苝酰亚胺异构体(图4) ,并紧密结合说法统计进这一步阐发了它的空间结构特征。






